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Improved Ohmic contacts to plasma etched n-Al0.5Ga0.5N by annealing under nitrogen ambient before me
  • ISSN号:0021-8979
  • 期刊名称:Journal of Applied Physics
  • 时间:2013.3.3
  • 页码:-
  • 相关项目:非极性面ZnO/ZnCdO量子阱结构LED外延材料生长与器件制备研究
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