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半绝缘6H-SiC单晶的生长
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O782[理学—晶体学]
  • 作者机构：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:50472068),国家高技术研究发展计划及教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目
作者： 宁丽娜[1], 胡小波[1], 陈秀芳[1], 李娟[1], 王英民[1], 姜守振[1], 徐现刚[1]
关键词： 半绝缘, 碳化硅, 升华法
中文摘要：

用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754