位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at
  • ISSN号：1350-4495
  • 期刊名称：Infrared Physics & Technology
  • 时间：2013.10.10
  • 页码：12-17
  • 相关项目：新型近红外多谱段探测器片上集成技术及环境适应性机理研究
作者： Peng Wei ,|Xue Li|Tao Li|Hengjing Tang|Honghai Deng|Ming Shi|Haimei Gong|
同期刊论文项目
新型近红外多谱段探测器片上集成技术及环境适应性机理研究
期刊论文 10 会议论文 9 专利 1
同项目期刊论文
InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能
InGaAs探测器偏振响应特性的实验研究
The temperature-dependent photoresponse uniformity of an InGaAs subpixels infrared detector by the L
退火对Zn 扩散的影响及其在InGaAs 探测器中的应用
台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触
不同退火处理的台面型In_（0.83）Ga_（0.17）As pin光电二极管暗电流分析
退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究