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柔性衬底硅基太阳电池ZAO透明导电膜的研究
  • ISSN号:1005-0086
  • 期刊名称:光电子.激光
  • 时间:0
  • 页码:928-932
  • 分类:O472[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222, [2]天津理工大学材料物理所,天津300384, [3]南开大学信息学院,天津300071
  • 相关基金:国家自然科学基金(10904109); 天津市自然科学基金(09JCYBJC27300); 天津市高校科技发展基金(20110711),天津市高校科技发展基金(20100712)资助项目
  • 相关项目:ZnO低维结构稀磁半导体微结构、光学和磁学性质尺度效应研究
中文摘要:

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量(1.67×10-7 m3/s~8.33×10-7 m3/s),优化了ZAO薄膜的结构、成份及光电性能。得到如下结论:理想的Ar气流量为3.33×10-7 m3/s,此时ZAO薄膜具有较高的晶化率和C轴择优取向,薄膜的霍尔电阻率达为4.26×10-4Ω.cm,载流子浓度达到1.8×1021cm-3,可见光波长范围内的光学透过率达到85%以上。将优化后的ZAO薄膜用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极,转化效率达到了4.26%。

英文摘要:

In this paper,ZnO:Al(ZAO) films are deposited by using twin-target DC magnetron sputtering at room temperature,which are used as the window electrodes of flexible substrate a-Si:H solar cells.ZAO films′ structure,composition and photo-electronic properties are optimized by adjusting the Ar flow parameter from 1.67×10-7m3/s to 8.33×10-7m3/s.The experimental results show that the ideal Ar flow is 3.33×10-7m3/s.The optimized ZAO films with high crystallization structure and c-axis orientation are obtained.The films′ Hall resistivity is 4.26×10-4 Ω·cm,the carrier concentration is 1.8×1021 cm-3,and the visible region light transmittance is over 85%.Using the ZAO films in the window electrodes of flexible substrate a-Si:H solar cells,the conversion efficiency is extended to 4.26%.

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期刊信息
  • 《光电子.激光》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编:巴恩旭
  • 地址:天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编:300384
  • 邮箱:baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话:022-60214470
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-0086
  • 国内统一刊号:ISSN:12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:16551