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金属氧化物掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO基压敏陶瓷电子密度和电性能的影响

期刊名称：广西物理(2014)(已接收,正在出版中)
时间：0
页码：-
分类：TN304.93[电子电信—物理电子学]
作者机构：[1]广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004
相关基金：国家自然科学基金项目（51061002,11265002）; 广西自然科学重点基金项目（2010GXNSFD013036）
相关项目：Fe-Ni合金中3d电子,超精细相互作用及其因瓦效应研究

中文摘要：

测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

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