欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
中文摘要：
针对系统级封装技术（SIP，system in package）详细分析了穿透性硅通孔（TSV，through silicon via）的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响，提出了TSV吉赫兹带宽等效电路模型，并提取出其电阻、电容、电感等无源元件值，对于所提出的电路模型进行了时域分析，仿真给出了眼图。
英文摘要：
The impact of physical configurations such as through silicon via （TSV） radius, TSV height and thickness of SiO2 on the transmission performance of system in package （SIP） is explored. A gigahertz equivalent circuit model of TSV in 3D Integrated Circuits is proposed and the values of passive elements within the model are extracted from full-wave scattering parameters. The proposed circuit model is analyzed in time domain, and the eye-diagram is shown based on the proposed circuit model.
同期刊论文项目
同项目期刊论文
位置：