位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
内电场对纳米硅光致发光谱的影响
  • 期刊名称：物理学报 53(4):1236-1241 APR 2004 (SCI)
  • 时间：0
  • 相关项目：新型半导体量子结构的设计、制备和表征
作者： 黄凯 王思慧 施 毅 秦国毅 张荣
同期刊论文项目
新型半导体量子结构的设计、制备和表征
期刊论文 69 著作 4
同项目期刊论文
Synthesis of Polyaniline Nanot
Anomalous temperature dependen
AlGaN/GaN HEMTs with Insulated
Growth of nanostructures on co
Evolution of wetting layer in
Polarized photoluminescence an
Optical properties of Ge/Si qu
用于单光子光源的三维光子晶体微
Generation and amplification o
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特
复合量子点MOSFET结构存储器的电
InAs/InAlAs/InP quantumwires w
偏振差分反射光谱研究半导体材料
Anomalous photoluminescence of
Controlled growth of well-face
Investigation of GaAs/AlGaAs i
High uniformity of self-organi
GaAs图形衬底上InAs量子点生长停
Photon emission properties of
Evolution of the amount of InA
Novel Planar Electrode Structu
Enhancement of electron-longit
Structural evolution of SiNx f
Light propagation tuned by per
Optical properties of self-ass
Controllable two-dimensional p
40GHz AlGaInAs Multiple-Quantu
Nonselective Etching of GaAs /
Strong in-plane optical anisot
Hydrothermal Synthesis of Poly
In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散
利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3μm光致发光
InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱
Mn离子注入InAs／GaAs量子点结构材料的光电性质研究
离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质
偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性
大功率氮化镓基白光LED模组的散热设计
热退火对Mg掺杂InGaN／GaN异质结特性的影响
ICP刻蚀P-GaN表面微结构GaN基蓝光LED
功率型LED封装中的热阻分析
LED波长一致性和温度均匀性对背光源色差的影响
大功率LED结温测量及发光特性研究
无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器
新型自脉动多段式分布反馈激光器的理论分析
基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源
MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究
应用于40Gb／s高速热沉的匹配电阻研究
Effect of the synthesis method of SnSb anode materials on their electrochemical properties
Influence of InAs deposition thickness on the structural and optical properties of InAs quantum wires