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忆容器的Simulink模型及其主要特性分析
  • ISSN号：1001-0548
  • 期刊名称：Journal of the University of Electronic Science an
  • 时间：2011
  • 页码：648-651
  • 分类：TM5[电气工程—电器]
  • 作者机构：[1]西南大学电子信息工程学院重庆北碚区400715, [2]重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区400033
  • 相关基金：国家自然科学基金（60972155,61101233,60974020）：中国博士后科学基金（CPSF20100470116）;中央高校基本科研业务费专项（XDJK2010C023,XDJK20108005）;重庆市自然科学基金（CSTC2009BB2305）：重庆市高等教育教学改革研究重点项（09.2.011）
  • 相关项目：基于STDP规则和忆阻器突触的神经形态系统及VLSI实现
作者： 何朋飞|王丽丹|段书凯|李传东|
关键词： 特性分析, 忆阻器, 忆容器, Simulink模型, feature analysis, memristor, memcapacitor, Simulink model
中文摘要：

针对忆容器在数据读写与存储方面可能会更少丢失数据的优势，介绍了一种忆容器的数学模型，为便于对该忆容器的研究，根据其数学模型，搭建了忆容器的Simulink仿真模型，对该模型进行仿真研究，得到了关于忆容器的典型特性，验证了其有效性，同时，基于忆容器的数学模型，应用matlab研究了输入激励和忆容器的各项参数对忆容器的影响，获得了许多忆容器的新特性和重要的数据，为忆容器应用方面的研究奠定了基础。

英文摘要：

In contrast to the memristor, the memcapacitor has advantage which produces losses during the reading and writing processes. The mathematic model of a memcapacitor is introduced and its Simulink model is built. The typical characteristics of the memcapacitor is simulated. At the same time, influences of input excitation and different parameters on the memcapacitor are considered and analyzed in details, and obtains a lot of the new characteristics of memcapacitor and important data.

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期刊信息
  • 《电子科技大学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:电子科技大学
  • 主编：周小佳
  • 地址：成都市成华区建设北路二段四号
  • 邮编：610054
  • 邮箱：xuebao@uestc.edu.cn
  • 电话：028-83202308
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-0548
  • 国内统一刊号：ISSN：51-1207/T
  • 邮发代号:62-34
  • 获奖情况:
  • 全国优秀科技期刊,第二届全国优秀科技期刊二等奖,两次获国家新闻出版署、国家教委“全国高校自然科...,中国期刊方阵双百期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:12314