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SiGe/Si HBT异质结界面与PN结界面对位置的影响
  • 期刊名称：电子学报
  • 时间：0
  • 页码：2000.Vol.28,No.8
  • 语言：中文
  • 相关项目：器件质量SiGe应变层的生长及超高频低噪声HBT和IC的研制
作者： 徐晨，陈建新等|
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