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低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析
  • 期刊名称：电子学报
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 页码：2000,Vol.29,No.2,p.285
  • 语言：中文
  • 相关项目：器件质量SiGe应变层的生长及超高频低噪声HBT和IC的研制
作者： 徐晨|沈光地|陈建新等|
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