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GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：北京工业大学
  • 页码：Vol22,No.8,1035-1037
  • 语言：中文
  • 相关项目：器件质量SiGe应变层的生长及超高频低噪声HBT和IC的研制
作者： 邹德恕|徐晨|陈建新等|
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