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微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性
  • ISSN号:1001-9731
  • 期刊名称:功能材料
  • 时间:2013.8.8
  • 页码:2406-2409
  • 分类:TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]郑州航空工业管理学院数理系,河南郑州450015, [2]中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(51072184,50972132,51002143,61274012,61172041); 航空科学基金资助项目(2011ZF55015); 河南省基础与前沿技术研究计划资助项目(112300410264); 河南省高等学校青年骨干教师资助计划资助项目(2011GGJS-140)
  • 相关项目:3D碳纳米管薄膜冷阴极的制备及其强流脉冲发射特性研究
中文摘要:

采用酞氰铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了研究。研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定。

英文摘要:

Carbon nanotube films were synthesized on the surface of micro-cube array Si with electroless plated Ni layer(Si/Ni-CNTs) by pyrolysis of iron phthalocyanine (FePc). Intense pulsed field emission of CNTs was researched with diode structure on 20GW pulse power system. For single pulse emission,emission current peak of Ni/Si-CNTs linearly increases with pulse field peak; at the applied peak electric field of about 31.4V/μm, peak current and current density can achieve about 14.74kA and about 1.23kA/cm2 , emission current ability of CNTs was obviously better than that of report. For many continuous and same peak pulses emission, Si/Ni- CNTs are provided with good repeatability of pulsed emission,and present better emission stabi]itv

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编:黄伯云
  • 地址:重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编:400707
  • 邮箱:gnclwb@126.com
  • 电话:023-68264739
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-9731
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:30166