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Heavily carbon-doped p-type GaAsSb grown by gas source molecular beam epitaxy
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：1765-1768
  • 语言：中文
  • 相关项目：InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究
作者： Qi, Ming|Xu, Anhuai|Ai, Likun|Sun, Hao|Zhu, Fuying|
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