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A dual-gate and dielectric-inserted lateral trench insulated gate bipolar transistor on a silicon-on
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2013.7.7
  • 页码：-
  • 相关项目：高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构
作者： Fu Qiang|Zhang Bo|Luo Xiao-Rong|Li Zhao-Ji|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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