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Beakdown voltage model and structure realization of a thin silicon layer with linear variable doping
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2012.10.10
  • 页码：-
  • 相关项目：高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构
作者： Qiao Ming|Zhuang Xiang|Wu Li-Juan|Zhang Wen-Tong|Wen Heng-Juan|Zhang Bo|Li Zhao-Ji|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
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  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 被引量:406