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3-D Resistance Model for Phase-Change
  • ISSN号：0018-9383
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间：2014.12.1
  • 页码：4098-4104
  • 相关项目：相变存储器件OTS与OMS物理机理和模型研究
作者： Chen,Yihan|Chan,Mansun|Lin,Xinnan|
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