欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Phase-Change Memory With Multifin Thin-Film-Transistor Driver Technology
ISSN号:0741-3106
期刊名称:IEEE Electron Device Letters
时间:2012.3
页码:405-407
相关项目:相变存储器件OTS与OMS物理机理和模型研究
作者:
Lin, Xinnan|He, Jin|Chui, Chi On|Chan, Mansun|
同期刊论文项目
相变存储器件OTS与OMS物理机理和模型研究
期刊论文 5
会议论文 12
同项目期刊论文
Contact size scaling of a W-contact phase-change memory cell based on numerical simulation
3-D Resistance Model for Phase-Change
A SPICE model for a phase-change memory cell based on the analytical conductivity model