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The influence of trapping centres on the photoelectron decay in silver halide
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O413.1[理学—理论物理;理学—物理] O431.2[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理]
  • 作者机构：[1]College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos 10274017 and 10354001）, and the Natural Science Foundation of Hebei Province, China （Grant Nos 103097 and 603138）.
作者： 李晓苇[1], 张荣香[1], 刘荣鹃[1], 杨少鹏[1], 韩理[1], 傅广生[1]
关键词： 俘获中心, 光电子衰退, 银卤化物, 空穴阱, silver halide, electron trap, recombination centre, hole trap
中文摘要：

E-mail： laser@mail.hbu.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406