中文摘要：

本项目利用微波吸收相敏检测技术，在35 ps短脉冲激光作用下，研究过渡金属络合物浅电子陷阱掺杂剂在不同掺杂条件下对乳剂光电子特性的影响关系。得到掺有过渡金属络合物的AgCl乳剂的光电子产生与衰减动力学特性。同时建立了由晶粒中深浅电子陷阱、空穴复合中心及掺杂剂引入的浅电子陷阱（SETs）组成的动力学模型，得到了SETs的阱深、捕获速率和捕获截面等物理参量，从理论上揭示SETs对卤化银晶体光电子行为的影响关系，给出了电子陷阱掺杂剂和空穴陷阱掺杂剂最佳的掺杂条件。获得了硫增感的AgBrI T颗粒乳剂不同增感时间和温度条件下自由光电子和浅束缚光电子的衰减特性，研究了硫增感产物陷阱作用随增感时间的变化过程，发现增感45分钟时增感产物起浅电子陷阱的作用，形成的产物为Ag2S的二聚体。研究了不同浓度甲酸根离子均匀掺杂的AgCl立方体颗粒乳剂的光电子衰减行为，发现甲酸根离子掺杂浓度为10-5mol/molAg时，很明显地起到了空穴陷阱的作用。以上研究成果将为掺杂效率的提高提供重要的参考价值，并最终用于指导实际生产。