位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
热丝CVD制备微晶硅薄膜的研究
  • ISSN号:1002-0322
  • 期刊名称:《真空》
  • 时间:0
  • 分类:TK514[动力工程及工程热物理—热能工程]
  • 作者机构:[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116024, [2]大连民族学院理学院,辽宁大连116600
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目,项目号10405005.
中文摘要:

采用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜,利用X射线衍射谱、Raman散射谱、透射光谱和扫描电子显微镜等检测手段,系统地研究沉积过程中沉积气压对微晶硅薄膜晶粒尺寸、晶态比和光学带隙的影响,运用Tacu法则对薄膜的透射率和厚度进行计算分析,得到薄膜光学带隙与沉积气压之间的关系,结果表明薄膜的光学带隙随着沉积气压的升高而单调下降。

英文摘要:

Microcrystalline silicon thin films were deposited by HWCVD (hot-wire chemical vapor deposition) of which the structural and morphological properties were characterized by X-Ray Diffraction, Raman Spectrum, Transmittance Spectroscopy and Scanning Electron Microscope. The effects of gas pressure in HWCVD process on the grain size, crystalline ratio and optical band gap of the microcrystalline silicon films deposited under different conditions were studied systematically. The transmittances and thickness of thin films were calculated with Tacu law, and the results indicated that the values of optical band gap decrease with increasing gas pressure in HWCVD process.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《真空》
  • 北大核心期刊(2008版)
  • 主管单位:
  • 主办单位:中国机械工业集团公司有限公司 沈阳真空技术研究所
  • 主编:李玉英
  • 地址:沈阳市沈河区万柳塘路2路
  • 邮编:110042
  • 邮箱:zkzk@chinajournal.net.cn
  • 电话:024-24121929
  • 国际标准刊号:ISSN:1002-0322
  • 国内统一刊号:ISSN:21-1174/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 工程技术类核心期刊,中国期刊网、光盘国家工程中心用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:3452