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多晶锗硅(Poly-Si0.7Ge0.3)薄膜的制备
ISSN号:0254-3087
期刊名称:《仪器仪表学报》
时间:0
分类:TP2[自动化与计算机技术—控制科学与工程;自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
相关基金:国家自然科学基金(No. 59995550-1)和清华大学985基金资助项目.
作者:
董良, 岳瑞峰, 黄文韬, 刘理天
关键词:
多晶锗硅, RAMAN, 电阻温度系数
中文摘要:
采用超高真空CVD (UHV/CVD)系统制备了多晶锗硅poly-Si1-xGex薄膜,Raman测试确定了Ge的组份,研究了其电阻温度特性,电阻温度系数TCR可达-2.10%/℃ .
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期刊信息
《仪器仪表学报》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学技术协会
主办单位:中国仪器仪表学会
主编:张钟华
地址:北京东城区北河沿大街79号
邮编:100009
邮箱:yqyb@vip.163.com
电话:010-84050563
国际标准刊号:ISSN:0254-3087
国内统一刊号:ISSN:11-2179/TH
邮发代号:2-369
获奖情况:
1983年评为机械部科技进步三等奖,1997年评为中国科协优秀科技期刊三等奖
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
被引量:42481