中文摘要：

我们在场为 hydrogenated 的一个数字煤气的阶段反应模型微晶质的硅(c-Si : H ) 从有血浆的 SiH4 和 H2 气体混合物的电影提高了化学蒸汽免职(PECVD ) 。在典型 c-Si 下面: H 免职条件，在血浆的种类的集中被计算并且 silane 部分的效果(SF=[SiH4 ]/[H2+SiH4 ]) 被调查。结果证明 SiH3 是为 c-Si 的关键先锋: H 电影生长，和另外的中立激进分子例如 Si2H5， Si2H4 和 SiH2，可以在电影免职起一些作用。与增加的 silane 部分，先锋集中增加，但是 H 原子集中很快减少，它导致更低的 H/SiH3 比率。

英文摘要：

We present a numerical gas phase reaction model for hydrogenated microcrystalline silicon（μc-Si：H） films from SiH4 and H2 gas mixtures with plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD）.Under the typical μc-Si：H deposition conditions,the concentrations of the species in the plasma are calculated and the effects of silane fraction（SF=[SiH4]/[H2＋SiH4]） are investigated.The results show that SiH3 is the key precursor for μc-Si：H films growth,and other neutral radicals,such as Si2H5,Si2H4 and SiH2,may play some roles in the film deposition.With the silane fraction increasing,the precursor concentration increases,but H atom concentration decreases rapidly,which results in the lower H/SiH3 ratio.