中文摘要：

采用射频磁控溅射技术，以LaNiO3（LNO）作为过渡层，在SiO2/Si（100）、Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上分别获得了（100）、（110）取向的（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3（PLT）铁电薄膜。研究了LNO/Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）和LNO/SiO2/Si（100）基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响。实验结果表明，与在LNO/Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基底上沉积的（110）取向的PLT薄膜相比较，在LNO/SiO2/Si（100）基底上沉积的高度（100）取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度，其2Pr为40.4μC/cm^2。

英文摘要：

The （100）-and （110）-oriented （Pb0.90 La0.10）Ti0.975O3[PLT] thin films were prepared on the SiO2/Si （100） and Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100） substrates by RF magnetron sputtering with a LaNiO3 [LNO] buffer layer, respectively. The effect of LNO/Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100） and LNO/SiO2/Si（100） substrates on the microstructure and ferroelectric properties of PLT thin films was investigated. The experimental results in this work indicate that the （100）-orientated （Pb0.90 La0.10）Ti0.975O3 thin film deposited on the LNO/SiO2/Si（100） substrate possesses better microstructure and ferroelectric properties with larger remnant polarization （2Pr= 40.4μC/cm^2）, as compared with （110）-oriented one （2Pr=22.4μC/cm^2） deposited on the LNO/Pt（111）/Ti/ SiO2/Si（100） substrate.