中文摘要：

采用射频磁控溅射技术。使用相同的工艺条件在Si（100）基底和Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9,La0.1）Tio3，PLT10]铁电薄膜。采用常规热处理工艺对两种基底上生长的肿铁电薄膜在相同条件下进行了退火。用原子力显微镜（AFM）观察PLT薄膜的表面形貌。用x射线衍射技术（XRD）研究PLT薄膜结晶性能。XRD图谱表明硅基底上的PET在晶化后，各主要晶面的衍射峰均出现，取向呈现多样化；而在铂上的PLT在晶化后，只出现了（111）晶面衍射峰和（222）晶面衍射峰，取向是单一的（111）方向。通过对XRD的数据计算可知，在相同条件下退火的PET薄膜，在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸。晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异。

英文摘要：

Ferroelectrie films of lanthanum-doped lead titanate, [ （Ph0.9, La0.1 ） TiO3, PLT10 ], were grown by RF magnetron sputtering, on Si（100） and Pt/Ti/SiO2/Si（100） substrates under the same growth conditions, respectively. The microstruetures were characterized with X-my diffraction（XRD） and atomic force microscopy（AFM）. The results show that the Pt top layer significantly affects the microstructures of the PLT films. For imtance, the grain of the PLT films, with markedly（ 111 ） preferential growth orientation on （Pb0.9, La0.1 ） TiO3 substrate, are bigger than the randomly orientated grains on Si（100） substrate. Possible mechardsm was also tentatively explained.