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Molecular beam epitaxy growth of high electron mobility InAs/AlSb deep quantum well structure
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics
  • 时间：2013
  • 页码：-
  • 相关项目：InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料及其双色红外探测器研究
作者： Guowei Wang|Yingqiang Xu|Junliang Xing|Wei Xiang|Bao Tang|Yan Zhu|Zhengwei Ren|Zhenhong He|Zhichuan Niu|
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