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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算
  • ISSN号：1007-2276
  • 期刊名称：红外与激光工程
  • 时间：2011.7.25
  • 页码：1205-1208
  • 相关项目：InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料及其双色红外探测器研究
作者： 李凡|史衍丽|赵鲁生|徐文|Li Fan1,Shi Yanli1,Zhao Lusheng1,Xu Wen2(1.Kunming Institute |2.Hefei Institute of Solid Physics,Chinese Academy of Science|
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期刊信息
  • 《红外与激光工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科工集团
  • 主办单位:天津津航技术物理研究所
  • 主编：张锋
  • 地址：天津市空港经济区中环西路58号
  • 邮编：300308
  • 邮箱：irla@csoe.org.cn
  • 电话：022-58168883 /4/5
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-2276
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1261/TN
  • 邮发代号:6-133
  • 获奖情况:
  • 1996年获航天系统第五次科技期刊评比三等奖,1998年获航天系统第六次科技期刊评比二等奖,1997-2001年在天津市科技期刊评估中被评为一级期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:17466