位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17
  • ISSN号：1350-4495
  • 期刊名称：Infrared Physics & Technology
  • 时间：2014.11
  • 页码：197-201
  • 相关项目：集成金属人工结构偏振的新型近红外探测器及其光电耦合机理
作者： Tao Li|Yunji Wang|Xue Li|Haimei Gong|
同期刊论文项目
集成金属人工结构偏振的新型近红外探测器及其光电耦合机理
期刊论文 20 会议论文 10
同项目期刊论文
ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究
The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiNx passivation films fabricated b
Subwavelength gold grating as polarizers integrated with InP-based InGaAs sensors
平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用
Surface plasmon response of metal spherical nanoshells coated with dielectric overlayer
Life signal detection using an on-chip split-ring based solid state microwave sensor
Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors
Low leakage of In0.83Ga0.17As photodiode with Al2O3/SiNx stacks
激光选择聚焦的响应增强型光电探测器(英文)
Current–voltage–temperature and capacitance–voltage–temperature characteristics of TiW alloy/p-InP S
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文)
2.6 mu m MBE grown InGaAs detectors with dark current of SRH and TAT
不同退火处理的台面型In_（0.83）Ga_（0.17）As pin光电二极管暗电流分析
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究
短波红外In0.53Ga0.47As探测器的实时γ辐照研究
异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究
n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺
含有超晶格电子势垒的In（0.83）Ga（0.17）As探测器暗电流仿真和验证（英文）