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Nd掺杂对BiFeO_3薄膜微结构和电学性能的影响
  • ISSN号:1001-9014
  • 期刊名称:Journal of Infrared and Millimeter Waves
  • 时间:2012
  • 页码:21-25
  • 分类:O469[理学—凝聚态物理;理学—电子物理学;理学—物理]
  • 作者机构:[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083, [2]华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241
  • 相关基金:国家自然科学基金(60221502 60777044 50702036); 上海市自然科学基金(10DJ1400202)
  • 相关项目:钙钛矿型弛豫铁电薄膜巨电热效应的起源机理及优化
中文摘要:

采用化学溶液方法,在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明,随着Nd掺杂量的增加,薄膜晶格变小,Nd掺杂量为20%时,薄膜出现杂相.介电测试表明,随着Nd掺杂量的增加,介电常数和损耗减小,Nd掺杂量为2%的薄膜表现出很强的介电色散现象并出现介电损耗弛豫峰,其符合类德拜模型特征.随着Nd掺杂量增加,薄膜的漏电流减小,在低电场下,电流输运遵从SCLC模型,在高场下,电流输运遵循Poole-Frenkel模型.分析结果表明Nd掺杂对薄膜微结构和电学性能有显著影响.

英文摘要:

The Nd doped BiFeO3 thin films are prepared on LaNiO3/Si(100) substrate by chemical solution deposition method.The results of x-ray diffraction show that the lattice constant of thin films decreases with the increase of Nd content.The impurity phases are found in the thin film with 20% Nd content.The results of dielectric measurement indicate that the dielectric constant and loss of thin films decrease with the increase of Nd content.A very strong dielectric frequency dispersion and relaxation of dielectric loss peak occurs in the thin film with 2% Nd content and it follows Debye-like law.The leakage current of thin films decreases with the increase of Nd content.The current transport follows SCLC model in low electric field region and follows Poole-Frenkel model in high electric field region.These results suggest that Nd doping has a strong influence on microstructure and electric properties of BiFeO3 thin films.

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期刊信息
  • 《红外与毫米波学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院上海技术物理研究所 中国光学学会
  • 主编:褚君浩
  • 地址:上海市玉田路500号
  • 邮编:200083
  • 邮箱:jimw@mail.sitp.ac.cn
  • 电话:021-25051553
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-9014
  • 国内统一刊号:ISSN:31-1577/TN
  • 邮发代号:4-335
  • 获奖情况:
  • 1992、1996年获全国优秀学术期刊一等奖,1999年首届国家期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:8778