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晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用
  • ISSN号:1000-7032
  • 期刊名称:发光学报
  • 时间:2012.6.6
  • 页码:660-664
  • 分类:TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]
  • 作者机构:[1]厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门361005, [2]厦门大学能源研究院,福建厦门361005, [3]福建省半导体照明工程技术研究中心,福建厦门361005
  • 相关基金:国家自然科学基金(61076056);福建省重大科技专项专题(2007HZ0005-2)资助项目
  • 相关项目:物理冶金法晶体硅太阳电池光衰减现象的研究
中文摘要:

提出一种在Matlab/GUI环境下设计的晶体硅太阳电池数值模拟软件.通过光生少数载流子连续性方程建立了单晶硅N+/P/P+结构太阳电池的物理模型。通过引进有效迁移率和有效少子扩散长度概念.并考虑多晶硅中晶界复合后,实现了对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能的参数指标的数值模拟。程序模拟结果通过数值和图形两种方式输出.模拟结果与实验结果接近,能够为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的指导作用。本程序对于以N型材料为衬底的晶体硅太阳电池同样适用。

英文摘要:

A software for the numerical simulation of crystalline silicon solar cells is developed. Photocarrier continuity equation, effective mobility, effective minority carrier diffusion length and carrier recombination on crystal boundary of muhicrystalline silicon are taken into account in the physical model. The software outputs the numerical simulation of crystalline silicon solar cells by numerical results and graphics. As the simulation results close to experimental data, the software can be a good guide for the design and production of crystalline silicon solar cells.

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期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编:申德振
  • 地址:长春市东南湖大路3888号
  • 邮编:130033
  • 邮箱:fgxbt@126.com
  • 电话:0431-86176862
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-7032
  • 国内统一刊号:ISSN:22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7320