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Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs （100） substrates by using MOCVD
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O413[理学—理论物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]National Research Center of Optoelectronic Technology, Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60476009）.
作者： 梁松[1], 朱洪亮[1], 潘教青[1], 王圩[1]
关键词： 自装配量子点, 铟砷化物, 双峰尺寸分布, MOCVD, self-assembled quantum dots, indium arsenide, bimodal size distribution, MOCVD
中文摘要：

E-mail： liangsong@red.semi.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406