位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Electronic energy levels in an asymmetric quantum-dots-in-a-well structure for infrared photodetecto
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：2645-2648
  • 语言：英文
  • 相关项目：超晶格解理面上应变自组织纳米结构生长和光电性质研究
作者： Chen Yong-Hai|Liang Zhi-Mei|Xu Bo|Wang Zhan-Guo|Shi Li-Wei|Wang Zhi-Cheng|
同期刊论文项目
超晶格解理面上应变自组织纳米结构生长和光电性质研究
期刊论文 17 会议论文 2
同项目期刊论文
Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延
Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy
解理面预处理方法对二次外延的影响
Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: A surface-mediated adatom migration picture
Effect of inter-level relaxation and cavity length on double-state lasing performance of quantum dot
Status and trends of short pulse generation using mode-locked lasers based on advanced quantum-dot a
Evolution of InAs nanostructures grown by droplet epitaxy
Effect of substrate misorientation on the InAs/InAlAs/InP nanostructure morphology and lateral compo
In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散
InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱
掺Mn硅酸锌薄膜中微量氧化锌对发光强度的影响
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190