探讨了匀胶速度、热分解温度及退火温度对CSBT/LNO薄膜取向和性能的影响。结果表明:制备(200)衍射峰择优的CSBT/LNO薄膜的最佳热处理工艺条件为:匀胶速度4000r/min,热分解温度400℃,退火温度为725℃;薄膜样品呈现a轴择优取向,I(200)/I(119)=1.26;样品铁电性能优良,剩余极化强度2Pr=36.7μC/cm2,对应的矫顽电场2Ec=156kV/cm;相对介电常数εr=215,具有较好的频率稳定性。