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NVSim: A Circuit-Level Performance, Energy, and Area Model for Emerging Nonvolatile Memory
  • ISSN号:0278-0070
  • 期刊名称:IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Inte
  • 时间:0
  • 页码:994-1007
  • 相关项目:三维多核片上系统的体系结构和设计研究
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