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High-Voltage SOI SJ-LDMOS With a Nondepletion Compensation Layer
  • ISSN号：0741-3106
  • 期刊名称：IEEE Electron Device Letters
  • 时间：0
  • 页码：68-71
  • 语言：英文
  • 相关项目：新型三维超结表面低阻通道横向功率MOS器件
作者： Wenlian Wang|Bo Zhang|
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