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Influence of the illumination on the subband structure and occupation in Al (x) Ga1-x N/GaN heterost
  • ISSN号:0947-8396
  • 期刊名称:Applied Physics A-Materials Science & Processing
  • 时间:0
  • 页码:953-957
  • 语言:英文
  • 相关项目:AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的量子输运性质
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