位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流(续)
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(61474101,61504125);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802,2015AA033305)
作者： 薛舫时
中文摘要：

<正>3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道的动态输运行为,获得了大量瞬态电流谱和瞬态电阻谱。大家认为这些电流谱和电阻谱都是陷阱俘获电子耗尽沟道二维电子气造成的。因此文献中都先加一个脉冲来给器件中的陷阱充电,让陷阱俘获电荷后耗尽沟

同期刊论文项目
三维栅结构氮化镓增强型器件研究
期刊论文 6
氮化物HFET器件二维输运瓶颈与极化工程
期刊论文 8
同项目期刊论文
High-performance enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs with fluorinated stack gate dielectrics and thin barrier layer
Thin-barrier enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT using ALD Al2O3 as gate insulator
金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善
GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
毫米波GaN HEMT器件大信号模型
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
增强型GaN功率器件及集成技术
High-performance enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs with fluorinated stack gate dielectrics and thin barrier layer
金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善
GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
毫米波GaN HEMT器件大信号模型
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461