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MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：《固体电子学研究与进展》
  • 时间：0
  • 分类：TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(61505181,61474101,61504125);国家高技术研究发展计划资助项目(2015AA016800,2015AA033300);国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400902)
作者： 李忠辉, 李传皓, 彭大青, 张东国, 罗伟科, 李亮, 潘磊, 杨乾坤, 董逊
关键词： 金属有机物化学气相沉积, InAlGaN, 异质结, 迁移率
中文摘要：

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm~2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。

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期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461