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氮化物HFET器件二维输运瓶颈与极化工程
项目名称:氮化物HFET器件二维输运瓶颈与极化工程
项目类别:面上项目
批准号:61474101
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:孔月婵
依托单位:中国电子科技集团公司第五十五研究所
批准年度:2014
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
8
0
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期刊论文
High-performance enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs with fluorinated stack gate dielectrics and thin barrier layer
Thin-barrier enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT using ALD Al2O3 as gate insulator
金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善
GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
毫米波GaN HEMT器件大信号模型
MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流(续)
增强型GaN功率器件及集成技术
孔月婵的项目
GaN HEMT中电致发光与器件性能关系研究
期刊论文 16
会议论文 3
专利 2