位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
离子辐照引起的金属-绝缘体界面
  • 期刊名称：原子核物理评论，23(2)（2006）210-214
  • 时间：0
  • 相关项目：高能重离子辐照在固体材料中引起的特殊纳米相变研究
作者： 刘纯宝 王志光*
同期刊论文项目
高能重离子辐照在固体材料中引起的特殊纳米相变研究
期刊论文 29 会议论文 8
同项目期刊论文
Material research with swift h
退火对He注入及随后208Pb27+辐照
Structural modification of C-d
Photoluminescence of inert-gas
高能重离子辐照制备SiOC复合材料
利用高能重离子模拟研究反应堆结
离子注入/辐照引起Al2O3单晶的改
高能Xe离子辐照引起的注碳a:SiO2
固体材料中快重离子辐照损伤建立
Blue-violet luminescence doubl
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结
高能重离子辐照制备碳氮化合物材
高能Pb离子辐照注碳SiO2的红外谱
Melting of Au and Al in nanome
Effective energy deposition an
高能重离子辐照制备SiOC复合材料的研究
高能重离子辐照制备碳氮化合物材料研究
快重离子辐照引起Ni／SiO2界面原子混合及相变研究
高能Xe离子辐照引起的注碳a：SiO2中新结构的形成
离子注入／辐照引起Al2O3单晶的改性研究
离子辐照引起的金属／绝缘体界面混合与相变研究
Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment
Nuclear Physics and Interdiscipline——Phase Change in C-doped a-SiO2 Induced by Swift Heavy Ion Irradiation
C离子注入对SiO2薄膜光致发光特性的影响
退火对He注入及随后^208Pb^27＋辐照的Al2O3单晶PL谱的影响
Application of Heavy Ion Physics and Nuclear Technique——FTIR Investigation of C-implanted Crystalline SiO2 after 950 MeV Pb-ion irradiation
PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation