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Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment
  • 期刊名称：《中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TG161[金属学及工艺—热处理;金属学及工艺—金属学] TQ127.2[化学工程—无机化工]
  • 相关基金：Supported by National Natural Science Foundation of China （10125522 10475102）
作者： Wang Zhiguang Zhao Zhiming Song Yin Liu Chunbao Zang Hang Wei Kongfang Jin Yunfan
关键词： 二氧化硅, 热处理, 改性, 诱导, 离子注入剂量, SiO2, 真空退火, 红外光谱
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