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PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation
  • 期刊名称：《中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN104.3[电子电信—物理电子学] TQ127.2[化学工程—无机化工]
  • 相关基金：Supported by National Natural Science Foundation of China（10125522 10475102）and the Chinese Academy of Sciences.
作者： Liu Chunbao Wang Zhiguang Zang Hang Wei Kongfang Yao Cunfeng
关键词： 无定形二氧化硅, 铅离子, 发光性能, 离子辐照, 掺杂, 电子, 湿氧化, 碳离子
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