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Uniform InAs Quantum-dots on vicinal GaAs (100) substrates by pulsed atomic layer epitaxy via metal-
  • ISSN号:1842-6573
  • 期刊名称:Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Commu
  • 时间:0
  • 页码:269-272
  • 相关项目:非极性面高Al组分AlGaN基深紫外LED外延材料与器件的研究
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