中文摘要：

由于集成电路工艺进入纳米节点后生产率大幅度的下降，要求集成电路在设计阶段必须采取可制造性设计方法来提高生产率。插入冗余金属来改善CMP后芯片平坦度是可制造性设计的主要方法，但面临两个难题邻近效应造成新的缺陷；改变了电路参数，增加了设计收敛难度。本课题从这一实际问题出发，通过对金属互连层的光刻畸变与CMP后芯片平坦度的关系进行研究，从光刻畸变与失焦的关系入手，系统优化光刻仿真与冗余金属插入方法，提高设计收敛性。主要研究内容包括1.研究光刻缺陷随平坦度变化的规律，提出一种考虑局部CMP平坦度变化的光刻仿真的方法。2.探索一种考虑光刻畸变的冗余金属填充方法。本项目立足于国内外VLSI可制造性设计方法的基础研究，预期成果对于指导VLSI设计与提高芯片生产率具有现实意义。