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中文摘要：
太阳能电池作为无污染清洁能源备受世界各国的重视, 其中非晶硅薄膜太阳能电池以其制备成本低、能量回收期短而受到广泛关注，但非晶硅电池性能的光致衰退限制了其发展。本项目研制了具有不同能带隙宽度的高光敏性纳米硅膜，其中沉积工艺以"三高一低"（高压、高功率、高氢稀释比、低温）为特征制备的宽带隙（1.91eV）膜用于硅基薄膜窗口p层,得到转化效率为9.25%单结柔性衬底电池; 高功率、高氢稀释比、高温制备较窄带隙微晶硅，用于微晶硅电池本征层，得到转化效率为7.04%光致衰退小于10%的单结微晶硅薄膜电池。我们提出用纳米硅替代非晶硅作叠层电池的隧道结中的重掺杂P+层，获得激活能Ea小于室温热动能、Ea仅为22meV的低阻隧道结。
结论摘要：
英文主题词Solar cell, tandem, nanocrystalline silicon
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