中文摘要：

纳米多孔GaN材料既具有宽禁带半导体材料的优势，又具有与普通GaN薄膜材料不同的光电和结构性质，在发光器件、外延衬底材料等方面具有广泛的应用前景，但到目前为止对于材料本身及相关应用探索才刚刚开始。本项目计划采用多孔氧化物掩膜结合干法刻饰获得纳米多孔GaN材料，并对高深宽比GaN材料刻饰机理进行研究；针对材料本身的结构、光学、应力等特性进行系统深入的分析；通过开展以纳米多孔GaN为衬底的厚膜GaN材

结论摘要：

纳米多孔GaN 材料既具有宽禁带半导体材料的优势，又具有与普通GaN 薄膜材料不同的光电和结构性质，在发光器件、外延衬底材料等方面具有广泛的应用前景。本项目研究了纳米多孔GaN材料的制备，对干法刻蚀损伤及回复进行了研究，并采用纳米多孔GaN作为衬底进行了厚膜GaN材料的HVPE生长。以阳极氧化铝作为掩膜，采用诱导耦合反应离子（ICP）干法刻饰获得纳米多孔GaN 材料。研究了刻蚀气体组分对高深宽比的纳米多孔GaN 材料刻饰的影响；光荧光谱、X射线衍射以及拉曼光谱的测量结果表明，纳米多孔纳米多孔GaN 材料既具有宽禁带半导体材料的优势，又具有与普通GaN 薄膜材料不同的光电和结构性质，在发光器件、外延衬底材料等方面具有广泛的应用前景。本项目研究了纳米多孔GaN材料的制备，对干法刻蚀损伤及回复进行了研究，并采用GaN材料中的应力得到了释放。干法刻蚀过程使GaN材料表面粗糙度增加，材料的电学和光学特性变差。采用高温热退火和氮等离子体处理相结合的方法，能够有效地改进被刻蚀材料的电学和光学特性，从而蚀刻蚀损伤在一定程度上得到回复。以纳米多孔GaN 为衬底成功实现了厚膜GaN 材料的HVPE生长。