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硅基III-V族纳米线选区横向生长及其高迁移率3D晶体管研究
  • 项目名称：硅基III-V族纳米线选区横向生长及其高迁移率3D晶体管研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376096
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：韩伟华
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
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基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
Horizontal InAs nanowire transistors grown on patterned silicon-on-insulator substrate
韩伟华的项目
SOI衬底上单电子晶体管的研制
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非对称库仑岛串联结构的硅基单电子器件的研究
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