研究高功率单频电泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(EP-VECSEL),满足我国光纤激光泵浦、激光成像、激光雷达、激光气体检测等应用领域中对于高输出功率、窄激光频率线宽、高光束质量的面发射半导体激光光源的迫切需求。我们提出基于相位共轭谐振腔结构实现窄激光频率线宽、高光束质量的设计方案,建立芯片结构与外部谐振腔相结合的理论模型,优化材料及谐振腔结构并研制高功率单频EP-VECSEL器件。同时为提高器件高功率单频工作的稳定性,采用反向生长、衬底去除及高导热衬底键合以实现对器件的热行为精确控制,并在外延结构中引入电流扩散层来实现均匀的注入电流分布。完善建立的理论分析模型,并优化材料生长技术及器件制备工艺,为获得自主知识产权的高功率单频EP-VECSEL器件打下理论和技术基础。
英文主题词vertical-external-cavity surface-emitting laser;high power;single frequency;phase-conjugation;laser linewidth