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射频集成电路的在片自校准关键技术的研究
  • 项目名称:射频集成电路的在片自校准关键技术的研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:60806008
  • 申请代码:F040202
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:池保勇
  • 负责人职称:副研究员
  • 依托单位:清华大学
  • 批准年度:2008
中文摘要:

随着工艺的发展,集成电路中元器件之间的失配、工艺偏差和非理想器件特性都有增大的趋势,加之元器件射频模型的不准确性以及封装等寄生效应的影响,造成射频集成电路产品成品率过低、产品开发时间过长等问题,给射频集成电路产品的设计带来了严峻的挑战。本项目以射频低噪声放大器和IQ校准电路为例,针对无线收发机中射频前端的闭环自校准问题展开了如下研究(1)探讨了在片检测射频集成电路性能的原理和方法;(2)讨论了性能可调的射频集成电路结构和电路设计技术,探讨了调整射频集成电路性能的原理和方法;(3)探讨了射频集成电路闭环自校准环路的系统控制技术,实现了射频集成电路各性能的闭环自校准功能;(4)研制出了具有自校准功能的低噪声放大器模块和IQ校准模块,并应用于开发双通道多模导航型接收机。该项成果可以消除各种非理想因素对射频集成电路性能的影响,缩短产品上市时间,提高产品的成品率并降低产品开发成本。本课题在重要学术期刊和国际会议上发表了18篇论文,已被SCI收录7篇、被EI收录17篇、被ISTP 收录6 篇。我们也申请了5项国家发明专明专利;并建立了一只完整的科研队伍,培养了7名研究生。

结论摘要:

英文主题词RFIC; CMOS; On-chip self-calibration; On-chip testing


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 14
  • 7
  • 5
  • 0
  • 0
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