欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
位置：立项数据库 > 立项详情页
中文摘要：
本课题运用热蒸发、共蒸发、激光蒸发合成CdE，ZnE（E=S 或Se）及其三元化合物半导体纳米带，并进行结构表征和光导研究。研究结果表明（1）通过纳米生长技术,可以合成晶体缺陷少的ZnE、CdE(E=S或Se)及其三元化合物单晶纳米带;(2)成功地对ZnE、CdE(E=S或Se) 单晶纳米带稀土掺杂,获得很好的发光性质;(3) CdE(E=S或Se)稀土掺杂纳米带具有很好的光导性质,可对蓝光,红光,远红外光进行三波段探测,但开关反应时间变慢了;(4) ZnE、CdE(E=S或Se) 单晶纳米带稀土掺杂后,在通过颜料敏化处理,不能提升其光导性质,这是与对应的薄膜部最大的不同;（5）现已制成CdE、ZnE（E=S 或Se）及三元纳米带（丝）及其稀土元素掺杂物单片纳米带器件50余个,并进行光导研究,取得了很好的研究结果;(6)已发表论文11篇,其中SCI收录4篇,EI收录4篇,其它3篇.部分研究成果仍在整理中；同时获云南省青年科技奖1项.
结论摘要：
英文主题词Energy band engineering; Nanoribbons; Phoconductance, Spectra; Crystal Growth
成果综合统计
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
期刊论文
相关项目
刘应开的项目
