采用高频等离子N离化的MOCVD和PLD方法,制备高质量ZnO外延层及ZnMgO、ZnCdO多元合金晶体薄膜;研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO、ZnMgO可控制备;研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律;探索制备ZnMgO/ZnO多量子结构,为研制实用ZnO基发光二极管奠定基础。
采用高频等离子N离化的MOCVD和PLD方法,制备高质量ZnO外延层及ZnMgO、ZnCdO多元合金晶体薄膜;研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO、ZnMgO可控制备;研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律;探索制备ZnMgO/ZnO多量子结构,为研制实用ZnO基发光二极管奠定基础。